特許

J-GLOBAL ID：200903026096560570

化合物半導体素子

発明者： 大場 康夫 ,  波多野 吾紅
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042964
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254751
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【構成】 基板11上に、それぞれIII-V 族化合物半導体からなるn型クラッド層13、活性層14及びp型クラッド層15が順次形成されてなるダブルヘテロ接合構造部を有する化合物半導体素子において、p型クラッド層15の形成前よりあらかじめMg原料を供給することで、p型クラッド層15にドープされるMgの濃度を活性層14との界面近傍で1x1017cm-3以上1x1019cm-3以下の範囲内に制御する。【効果】 発光効率が良好で低い動作電圧でも高輝度の発光を示し、かつ充分な素子寿命を有する発光性能の優れた発光デバイスが得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に、それぞれIII-V 族化合物半導体からなるn型クラッド層、活性層及びp型クラッド層が順次形成されてなるダブルヘテロ接合構造部を有する化合物半導体素子であって、p型クラッド層にドープされたMgの濃度が活性層との界面近傍で1x1017cm-3以上1x1019cm-3以下の範囲内に設定されたことを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-276785
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203084   出願人：日本電信電話株式会社
• 多層エピタキシャル結晶構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-280407   出願人：株式会社日鉱共石
• 特開平3-062584