薄膜を結晶化させる処理方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：角田嘉宏 (外2名) , 角田嘉宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-096549
公開番号（公開出願番号）：特開2002-294448
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：

【要約】【課題】薄膜を結晶化させるための処理を短時間内で完了させることができ、薄膜が形成される基板が損傷を受けることもなく薄膜を結晶化させる処理方法を提供することである。【解決手段】基板3上に形成された薄膜2を結晶化させる処理を以下のように行う。非晶質の状態にある薄膜2に、極めて高い吸収率を示す吸収域にある波長の光8を照射し、該照射された領域を結晶質の状態に変化させる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された薄膜を結晶化させる処理方法であって、非晶質の状態にある前記薄膜に吸収率が90%以上である吸収域にある波長の光を照射することにより、該照射された領域を結晶質の状態に変化させる処理を行うことを特徴とする、薄膜を結晶化させる処理方法。

IPC (9件)：

C23C 14/58 , B01J 19/12 , B32B 9/00 , C01B 13/14 , C01F 7/02 , C03C 17/245 , C23C 16/56 , C21D 1/09 , C22F 3/00

FI (9件)：

C23C 14/58 C , B01J 19/12 G , B32B 9/00 A , C01B 13/14 A , C01F 7/02 D , C03C 17/245 A , C23C 16/56 , C21D 1/09 A , C22F 3/00

Fターム (48件)：

4F100AA17B , 4F100AA19 , 4F100AG00 , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100BA07 , 4F100EH66 , 4F100EJ52B , 4F100GB07 , 4F100GB41 , 4F100GB81 , 4F100JA11B , 4F100JK01 , 4F100JK12 , 4F100YY00B , 4G042DB15 , 4G042DB27 , 4G059AA01 , 4G059AB11 , 4G059AC16 , 4G059EA01 , 4G059EA04 , 4G059EB03 , 4G075AA24 , 4G075CA32 , 4G075CA33 , 4G075CA36 , 4G075CA65 , 4G075DA02 , 4G075EB31 , 4G076AA02 , 4G076AB02 , 4G076BA50 , 4G076BF01 , 4G076BG05 , 4G076CA10 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA43 , 4K029BA44 , 4K029BB10 , 4K029CA03 , 4K029GA01 , 4K030BA43 , 4K030BB05 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030DA09

引用特許：

審査官引用 (2件)

透明導電膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-184227 出願人：カシオ計算機株式会社
レーザーアブレーション法による結晶薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-186258 出願人：トヨタ自動車株式会社

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