特許

J-GLOBAL ID：200903006479112154

スパッタリングターゲットの製造方法

発明者： 谷 典明 ,  鄒 紅▲こう▼ ,  鈴木 郁生 ,  石川 道夫 ,  中村 久三
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-315300
公開番号（公開出願番号）：特開平7-166340
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：

【要約】【目的】 スパッタ時に異常放電やターゲットにひび割れが発生せず、長時間に亘ってターゲットにスパッタリングを行っても安定した放電が行えて安定した高い成膜速度で成膜することが出来るスパッタリングターゲットを製造する方法。【構成】 ターゲットの原料粉体を焼成してセラミックス材から成るスパッタリングターゲットの製造方法において、ターゲットを焼成する際、混合するセラミックスターゲットを構成する原料の少なくとも1つの原料をその一部または全部を酸化物粉体もしくは炭酸化物粉体ではなく、金属粉体の形で混合し、かつ真空中または酸素を含まない雰囲気中で焼成する。

請求項（抜粋）：

ターゲットの原料粉体を焼成してセラミックス材から成るスパッタリングターゲットの製造方法において、ターゲットを焼成する際、混合するセラミックスターゲットを構成する原料の少なくとも1つの原料をその一部または全部を酸化物粉体もしくは炭酸化物粉体ではなく、金属粉体の形で混合し、かつ真空中または酸素を含まない雰囲気中で焼成することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C22C 1/05 ,  H01L 21/285

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-136480
  
• 特開昭59-043518
  
• 誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-120120   出願人：真空冶金株式会社
• 高誘電体薄膜製造用ターゲット材およびその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-077572   出願人：三菱マテリアル株式会社