特許
J-GLOBAL ID：200903006481823378

キセノン(Xe)による事前非晶質化のためのインプランテーション

発明者：
マシュー スティーブン ブイノスキ

マシュー スティーブン ブイノスキ について

, 
チェ-フー エヌジー

チェ-フー エヌジー について


出願人/特許権者：
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 鈴木 正剛 ,  佐野 良太 ,  村松 義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-517926
公開番号（公開出願番号）：特表2004-537856
出願日： 2002年04月05日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
SOI基板(101)を、ソース/ドレインの拡張部(21)およびソース・ドレイン領域(41)を形成する前に、Xe15をイオン注入することで事前に非晶質化する。これによって、フローティングボディ効果を実質的に除去し、またははっきりと減少させる。他の実施態様において、バルクのシリコンまたはSOI基板にXe2+をイオン注入することにより、浅い接合と減少した垂直および水平方向の伸び広がりを持つソース/ドレインの拡張部および領域を形成する前に、事前の非晶質化を実現する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造方法であって、 下部シリコン基板(10)、前記基板上の埋め込み絶縁層(11)および前記絶縁層上の結晶質上部シリコン層(12)を含むシリコン・オン・インシュレータ(SOI)構造を形成するステップと、 前記上部シリコン層にキセノン(Xe)をイオン注入して(15)、前記上部シリコン層の上面から前記埋め込み絶縁層(11)に向かって伸びる非晶質領域(12A)を形成するステップと、 ドーパント不純物をイオン注入して(20)、ソース/ドレイン拡張部インプラントおよびソース/ドレイン・インプラントを形成するステップと、 浅いソース/ドレイン拡張部(21)およびソース/ドレイン領域(41)を活性化させ、前記非晶質領域(12B)を結晶化するためにアニーリングをするステップとを含む製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786
FI (9件)：
H01L29/78 616L ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 626B ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/265 F ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 301L
Fターム (42件)：
5F052AA17 ,  5F052DA01 ,  5F052FA05 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA15 ,  5F110CC02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ21 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP16 ,  5F110PP27 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA39 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG54 ,  5F140BH15 ,  5F140BH22 ,  5F140BK02 ,  5F140BK03 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 集積回路の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-078654   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-234513   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-242754   出願人：ソニー株式会社

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