特許
J-GLOBAL ID：200903006514272321
薄膜トランジスタおよびかかる薄膜トランジスタを有する液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-139459
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298305
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 LDD構造を備えたマルチチャネルゲートTFTにおいて、LDD構造をイオン注入により形成する際にマスクずれが生じても素子の動作特性が悪影響をうけることがなく、また余分な遮光マスクを不要とすることにより液晶表示装置の開口率を改善でき、さらにイオン注入の不均一が生じない構成のTFTを提供することを目的とする。【解決手段】 TFTの活性部を構成するポリシリコンパターンを、基板上において略U字型に屈曲した形状に形成し、ゲートパターンを直線上の導体パターンより形成し、さらに前記ゲートパターンを、前記U字が多のポリシリコンパターンと複数回交差するように配設する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたシリコンパターンと、前記シリコンパターン上を複数回横切るゲートパターンと、前記シリコンパターン中、前記ゲートパターンと交差する領域の各々に形成されたチャネル領域と、前記シリコンパターン中、前記各々のチャネル領域の両側に形成された一対の拡散領域とよりなる薄膜トランジスタにおいて、前記ゲートパターンは直線状に延在する導体パターンよりなり、前記シリコンパターンは、一端と他端との間に前記ゲートパターンと交差する屈曲部を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 21/266
H01L 29/78 616 A
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 21/265 M
, H01L 29/78 619 B
