特許

J-GLOBAL ID：200903006542390585

半導体レーザ

発明者： 山本 直
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-140766
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307183
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 所望の発振波長を得るための、歪量子井戸活性層の量子井戸層の歪量、量子井戸層の厚さおよび基板のオフ角度の自由度が大きいAlGaInP系半導体レーザを提供する。【解決手段】 歪量子井戸活性層を用いたAlGaInP系半導体レーザにおいて、その歪量子井戸活性層の量子井戸層をGax In1-x Asy P1-y により構成し、障壁層をAlGaInPにより構成する。量子井戸層を構成するGaxIn1-x Asy P1-y のAs組成比yは、0以上0.15以下、より好ましくは0以上0.11以下とする。

請求項（抜粋）：

歪量子井戸構造を有する活性層をn型AlGaInPクラッド層とp型AlGaInPクラッド層とによりはさんだ構造を有する半導体レーザにおいて、上記活性層の量子井戸層がGaInAsPからなり、かつ、上記活性層の障壁層がAlGaInPからなることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-212437   出願人：富士通株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-229729   出願人：株式会社日立製作所