特許
J-GLOBAL ID：200903016945227329
半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229729
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077592
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】短波長の領域において従来より閾値電流を低減してかつ50°C以上の高温動作を安定に実現する。【構成】(001)面から〔110〕〔-1-10〕方向に15.8°傾斜した面のn型GaAs基板1の上にn型GaInPバッファ層2、n型(Aly2Ga1-y2)αIn1-αP光導波層3、膜厚7nmのアンドープ(AlxGa1-x)γIn1-γP量子井戸層5層と、膜厚8nmのアンドープ(Aly1Ga1-y1)βIn1-βP量子障壁層4層、及び井戸層両側にAl組成が階段状の光分離閉じ込め層とから構成される多重量子井戸活性層13、P型(Aly2Ga1-y2)αIn1-αP光導波層5、P型Ga0.51In0.49Pバッファ層6を760°CにおいてMOCVDによりエピ成長し、次にSiO2マスクを形成し、層6と層5をエッチング除去してリッジストライプを形成し、次にSiO2マスクを残したままn型GaAs電流狭窄層兼光吸収層7を選択成長し、P型GaAsコンタクト層8を埋め込み成長する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、有機金属気相成長(MOCVD)法又は分子線エピタキシ-(MBE)法により成長された禁制帯幅の大きな光導波層(Al<SB>y2</SB>Ga<SB>1-y2</SB>)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P(0<y<SB>2</SB>≦1,0.2<α<0.8)に挾まれた多重量子井戸構造(量子障壁層(Al<SB>y1</SB>GA<SB>1-y1</SB>)<SB>β</SB>In<SB>1-β</SB>P(0<y<SB>1</SB><y<SB>2</SB>≦1,0.1<β<0.8)と量子井戸層(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>γ</SB>In<SB>1-γ</SB>P(0≦x<y<SB>1</SB><y<SB>2</SB>≦1,0.1<γ<0.8)の周期構造からなる)において、該量子井戸層における組成γを半導体基板と格子整合しない組成に変えて歪量を導入するが、圧縮歪を導入する0.1<γ<0.5の範囲では格子不整を0.3%から2.5%の範囲、望ましくは0.5%以上2.0%以下とし、引張歪を導入する0.5<γ<0.8の範囲では格子不整を0.3%から1.8%の範囲、望ましくは0.4%以上1.2%以下として、かつ該量子井戸層の繰返し層数を2層以上10層以内に設定することを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
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