半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-281811
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148756
出願日： 1994年11月16日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】半導体レーザチップの前面光のうち光学系から反射して帰ってくる戻り光がモニター用のホトダイオードに入らないようにして、半導体レーザ装置のAPC制御を可能にする。【構成】ホトダイオードの受光位置が半導体レーザチップの発光位置よりも等しいか又は下側になるようにホトダイオードを設ける。【効果】戻り光がモニター用のホトダイオードに入らないので、半導体レーザ装置のAPC制御が可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体レーザチップとこの半導体レーザチップの後端面から出射される光を受光するホトダイオードとを備えた半導体レーザ装置において、前記ホトダイオードの受光位置が前記半導体レーザチップの発光位置よりも等しいか又は下側になるように前記ホトダイオードを設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 , H01S 3/00

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平2-174179
半導体レーザ装置及びその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-311427 出願人：三菱電機株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平2-400289 出願人：日本電気株式会社

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