特許

J-GLOBAL ID：200903006591120968

直接水冷型パワー半導体モジュール構造

発明者： 丹波 昭浩 ,  外木 達也 ,  佐々木 要 ,  井上 広一 ,  斎藤 隆一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立電線株式会社
代理人 (2件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-141966
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349324
出願日： 2003年05月20日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】パワー半導体素子を有し、低熱抵抗化を図る直接水冷型パワー半導体モジュール構造の更なる高熱伝達率を達成し、冷却効果を高める。【解決手段】前記課題を解決する代表例を例示すると、少なくとも電流をスイッチングするパワー半導体素子を搭載し、前記パワー半導体素子搭載面の対向面にストライプ状の冷却フィンを有する直接水冷型パワー半導体モジュール構造において、前記冷却フィンのフィン長手方向に対して略垂直な断面のコーナーに面取り部を有する【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも電流をスイッチングするパワー半導体素子を搭載し、前記パワー半導体素子搭載面の対向面にストライプ状の冷却フィンを有する直接水冷型パワー半導体モジュール構造において、 前記冷却フィンのフィン長手方向に対して略垂直な断面のコーナーに面取り部を有することを特徴とする直接水冷型パワー半導体モジュール構造。

IPC (3件)：

H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (2件)：

H01L23/46 Z ,  H01L25/04 C

Fターム (5件)：

5F036AA01 ,  5F036BA05 ,  5F036BA23 ,  5F036BB05 ,  5F036BB44

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 水冷式半導体素子スタックの冷却体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-258238   出願人：富士電機株式会社
• インバータ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-116298   出願人：株式会社日立製作所
• 冷却体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-312690   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-226906   出願人：富士通株式会社