特許
J-GLOBAL ID：200903006608633093
不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-145089
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307082
出願日： 1996年05月15日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 ベリファイ動作を行うことにより書き込み後又は消去後のメモリセルのしきい値を過書き込みなく所定の範囲に押さえることが可能な半導体記憶装置及びその書き込み方法を提供する。【解決手段】 書き込みは、最初に、読み出しの設定レベルと同じかそれよりは高いが本来必要とする判定レベルより低い緩めの第1の判定レベルを設定し、この第1の判定レベルに基づいて第1の書き込み動作を行い、次に、第2の判定レベルに基づいて第2の書き込み動作を行って、緩めの第1の判定レベルと本来必要とする判定レベル(目的とする判定レベル)である第2の判定レベルの間のしきい値を有するメモリセルのしきい値を前記第2の判定レベルより上へ上げること、即ち書き込み動作を2回に分けて行う。しきい値分布幅を狭くすると、消去動作における一括消去時に、全メモリセルを確実に消去することができる。
請求項（抜粋）：
同一行線に接続される複数のメモリセルを1ブロックとし、このブロックを複数有するメモリセルアレイと、前記メモリセルにデータを書き込む書き込み手段と、前記書き込み手段によって書き込み処理が行われたデータについて検証を行うベリファイ手段とを備え、前記ベリファイ手段によるベリファイは、複数の判定電圧により行われることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
