不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-178319
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037395
出願日： 1993年07月19日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】書き込み時間の増大を招くことなく、しきい値分布の狭小化を図れる不揮発性半導体記憶装置を実現する。【構成】メモリセルトランジスタのフローティングゲートへ電荷を注入してデータの書き込みを実行する際に、たとえば書き込みパルス幅(または電圧、あるいは両者)を変化させて、複数回に亘って注入電荷量を制御する。これにより、書き込み後のしきい値の分布を小さくする。

請求項（抜粋）：

メモリセルトランジスタに電荷を注入してデータの書き込みを行う不揮発性半導体記憶装置であって、電荷量を複数回に亘って変化させてメモリセルトランジスタに電荷を注入する書込条件可変手段を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平1-159895
特開昭56-114199
特開平2-193398

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