特許
J-GLOBAL ID：200903006608970464
微細ホールパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-083341
公開番号（公開出願番号）：特開2005-276852
出願日： 2004年03月22日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 解像限界以下のピッチで不規則に配置された微細ホールパターンを二重露光法を用いて形成する。【解決手段】 基板上に不規則に配置された複数のホールからなる微細ホールパターンを形成する方法であって、先ず、基板上にレジスト膜を形成する。次に、任意の基準開口からのピッチが露光装置の解像限界未満である第1近接開口を有する第1のハーフトーン型位相シフトマスクであって、第1近接開口を含む複数の開口が解像限界以上のピッチで形成された第1のハーフトーン型位相シフトマスクを介してレジスト膜に露光光を照射する。基準開口を含む複数の開口が解像限界以上のピッチで形成された第2のハーフトーン型位相シフトマスクを介して、レジスト膜に露光光を照射する。2回のパターン露光の後、現像処理を行う。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも1方向において等ピッチで並ばない複数のホールからなる微細ホールパターンを形成する方法であって、
前記基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記複数のホールのうち任意に選択された基準ホールに対応する基準開口からのピッチが露光装置の露光波長/開口数で表される解像限界未満である第1近接開口を有する第1のハーフトーン型位相シフトマスクであって、該第1近接開口を含む複数の開口が前記解像限界以上のピッチで形成された第1のハーフトーン型位相シフトマスクを介して、前記レジスト膜に露光光を照射する第1露光工程と、
前記基準開口を含む複数の開口が前記解像限界以上のピッチで形成された第2のハーフトーン型位相シフトマスクを介して、前記レジスト膜に露光光を照射する第2露光工程と、
前記第1及び第2露光工程の後、現像処理を行うことにより前記微細ホールパターンを形成する工程とを含むことを特徴とする微細ホールパターンの形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 514A
, G03F1/08 B
, H01L21/30 502P
2H095BA02
, 2H095BC24
, 5F046AA05
, 5F046AA13
, 5F046BA04
, 5F046CB17
