特許
J-GLOBAL ID:200903006616014750

線形性及び周波数帯域が向上したMGTRを利用した増幅回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (11件): 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-364756
公開番号(公開出願番号):特開2006-180492
出願日: 2005年12月19日
公開日(公表日): 2006年07月06日
要約:
【課題】線形性及び周波数帯域が向上したMGTR(Multiple gated transistor)を利用した増幅回路を提供する。【解決手段】線形性及び周波数帯域が向上したMGTRを利用した増幅回路として、主トランジスタと補助トランジスタをと含む増幅部と、前記主トランジスタ及び前記補助トランジスタのそれぞれのソースに繋がれたインダクタを含む減衰部と、前記主トランジスタ及び前記補助トランジスタのそれぞれのソースに一端が繋がれ、前記主トランジスタ及び前記補助トランジスタのそれぞれのゲートに他端が繋がれたキャパシタと、前記主トランジスタ及び前記補助トランジスタのそれぞれのドレインに繋がれた出力部とを含んでいる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
MGTR(Multiple gated transistor)を利用した増幅回路であって、 主トランジスタと補助トランジスタとを含む増幅部と、 前記主トランジスタ及び前記補助トランジスタのそれぞれのソースに繋がれたインダクタを含む減衰部と、 前記主トランジスタ及び前記補助トランジスタのそれぞれのソースに一端が繋がれ、前記主トランジスタ及び前記補助トランジスタのそれぞれのゲートに他端が繋がれたキャパシタと、 前記主トランジスタ及び前記補助トランジスタのそれぞれのドレインに繋がれた出力部とを含むことを特徴とする線形性及び周波数帯域が向上したMGTRを利用した増幅回路。
IPC (2件):
H03F 1/32 ,  H03F 1/42
FI (2件):
H03F1/32 ,  H03F1/42
Fターム (15件):
5J500AA01 ,  5J500AC21 ,  5J500AC41 ,  5J500AC62 ,  5J500AF20 ,  5J500AH09 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AK47 ,  5J500AM19 ,  5J500AM21 ,  5J500AT02 ,  5J500AT03 ,  5J500AT05 ,  5J500NG02
引用特許:
審査官引用 (6件)
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引用文献:
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