特許
J-GLOBAL ID:200903006622716279
モジュール用基板
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安富 康男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-241339
公開番号(公開出願番号):特開2003-060137
出願日: 2001年08月08日
公開日(公表日): 2003年02月28日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 放熱板の熱伝導率が充分に高く、放熱板と絶縁性基板との接着強度に優れ、かつ、半導体素子の冷却効率にも優れるため、発熱量の大きい半導体素子を搭載するための基板に好適に用いることができるモジュール用基板。【解決手段】 一主面に導体回路15が形成された絶縁性基板12と、放熱部材13とを含んで構成されたモジュール用基板100であって、上記放熱部材13には、半導体素子16を接合層17を介して直接搭載するための領域が確保され、上記絶縁性基板12は、少なくとも上記導体回路15が形成された部分を含む領域に、2以上に分割されて設けられているとともに、上記放熱部材13と接着層14を介して接合され、さらに、上記放熱部材13は、常温〜300°Cにおける熱伝導率が100W/m・K以上の金属又は合金からなり、上記接合層17及び上記接着層14との界面に粗化面が形成されるとともに、空冷による放熱手段を備えている基板。
請求項(抜粋):
一主面に導体回路が形成された絶縁性基板と、放熱部材とを含んで構成されたモジュール用基板であって、前記放熱部材には、半導体素子を、接合層を介して直接搭載するための領域が確保され、前記絶縁性基板は、少なくとも前記導体回路が形成された部分を含む領域に、2以上に分割されて設けられているとともに、前記放熱部材と接着層を介して接合され、さらに、前記放熱部材は、常温〜300°Cにおける熱伝導率が100W/m・K以上の金属又は合金からなり、前記接合層及び前記接着層との界面に粗化面が形成されるとともに、空冷による放熱手段を備えていることを特徴とするモジュール用基板。
IPC (4件):
H01L 23/36
, H01L 23/373
, H01L 23/40
, H01L 23/467
FI (6件):
H01L 23/40 E
, H01L 23/40 F
, H01L 23/36 Z
, H01L 23/36 D
, H01L 23/46 C
, H01L 23/36 M
Fターム (13件):
5F036AA01
, 5F036BA04
, 5F036BA24
, 5F036BB05
, 5F036BB08
, 5F036BB21
, 5F036BC03
, 5F036BC06
, 5F036BD01
, 5F036BD03
, 5F036BD13
, 5F036BD14
, 5F036BD22
引用特許:
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