特許

J-GLOBAL ID：200903006670576527

マルチビットメモリセルおよび温度バジェットセンサを備えた半導体デバイス

発明者： トーマス ハップ ,  ヤン ボリス フィリップ
出願人/特許権者： キモンダ ノース アメリカ コーポレイション
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-257463
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135150
出願日： 2007年10月01日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】複数のマルチビットメモリセル、第1の温度バジェットセンサを備えた半導体デバイス、及びデバイスにおける温度バジェットをモニターする方法を提供する。【解決手段】各複数のマルチビットメモリセルは、3つ以上の状態のそれぞれにプログラムすることが可能である。回路は、第1の温度バジェットセンサから受信した第1の信号と、第1の基準信号とを比較し、第1の比較結果を取得するとともに、第1の比較結果に基づいて、複数のマルチビットメモリセルをリフレッシュする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

3つ以上の状態のそれぞれにプログラムすることが可能であるマルチビットメモリセルを複数備えた複数のマルチビットメモリセルと、 第1の温度バジェットセンサと、 上記第1の温度バジェットセンサから受信した第1の信号と、第1の基準信号とを比較し、第1の比較結果を取得する回路と、を備えており、 上記回路は、上記第1の比較結果に基づいて、上記複数のマルチビットメモリセルをリフレッシュすることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (2件)：

G11C 13/00 ,  H01L 27/105

FI (2件)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 448

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA57 ,  5F083LA03 ,  5F083LA10 ,  5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• メモリ装置及びそのリフレッシュ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-011626   出願人：エルピーダメモリ株式会社
• 半導体記憶装置及びメモリセルの記憶データ補正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-353731   出願人：シャープ株式会社