特許
J-GLOBAL ID：200903012962873239

メモリ装置及びそのリフレッシュ方法

発明者：
藤 幸雄

藤 幸雄 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-011626
公開番号（公開出願番号）：特開2006-202383
出願日： 2005年01月19日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】 相変化素子のリテンション特性の改善を図る相変化メモリ及びそのリフレッシュ方法の提供。【解決手段】 DRAMインターフェース互換のメモリであることを利用し、読み出し・書込み回数に応じたストレスが与えられるダミーセル109、110を設け、該ダミーセルの相変化素子の抵抗値の変化を比較回路111、112で検出し、予め設定した基準値以上に抵抗値が変化していた場合(低抵抗化)、リフレッシュ要求回路107は、不図示の内部回路に対してリフレッシュ動作を要求し、メモリセルおよびダミーセルを、一旦、リフレッシュし、相変化素子のプログラム抵抗値のばらつきを補正し、マージン確保と同時にリテンション特性の改善を図る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ビット線とワード線の交差部に、プログラム可能な抵抗素子を含むメモリセルを備え、 前記メモリセルの抵抗値の変化に応じて、前記メモリセルのリフレッシュ動作を行うように制御する制御回路を備えている、ことを特徴とするメモリ装置。
IPC (3件)：
G11C 13/00 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00
FI (3件)：
G11C13/00 A ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A
Fターム (6件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA21 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA10 ,  5F083ZA28
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許明細書第6646902号(US6646902B2)
  • 米国特許明細書第6560155号(US6560155B1)
審査官引用 (6件)
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