特許
J-GLOBAL ID：200903008489233483
半導体記憶装置及びメモリセルの記憶データ補正方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
政木 良文
, 橋本 薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-353731
公開番号（公開出願番号）：特開2004-185753
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】メモリセルに過剰なストレスをかけることなく効率的に物理量の変動が検知でき、しかも、チャージロスによるような規定範囲の下方への変動ばかりではなくチャージゲインによるような規定範囲の上方への物理量の変動に対しても補正可能な半導体記憶装置及びメモリセルの記憶データ補正方法を提供する。【解決手段】1セル内にN値データを記憶且つ書き換え可能な複数のメモリセル1と、前記N値データの各データ値を前記メモリセルと同じ記憶方式で各別に記憶する複数のモニターセル6、9を設け、検知手段12によりモニターセルの物理量が予め設定された範囲にあるか否かを検知して、範囲外であるときに確認手段16によりメモリセルの物理量が予め設定された範囲であるか否かの確認を行ない、補正手段16によりメモリセルの物理量を補正する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
1セル内にN値データ(Nは2以上の自然数)を記憶且つ書き換え可能な複数のメモリセルと、
前記N値データの各データ値を前記メモリセルと同じ記憶方式で各別に記憶する複数のモニターセルと、
前記モニターセルに記憶した前記データ値に対応する前記モニターセルの物理量が予め設定された範囲にあるか否かを検知する検知手段と、
前記検知手段が前記モニターセルの前記物理量を予め設定された範囲外であると検知した場合、前記メモリセルに記憶されているデータ値に対応する前記メモリセルの前記物理量が予め設定された範囲であるか否かの確認をする確認手段と、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C29/00
, G11C11/15
, G11C13/00
G11C29/00 675Z
, G11C29/00 631Q
, G11C11/15 110
, G11C13/00 A
5L106AA10
, 5L106BB01
, 5L106DD25
, 5L106DD31
, 5L106GG05
, 5L106GG07
