化学的気相成長法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-200357
公開番号（公開出願番号）：特開平10-045490
出願日： 1996年07月30日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：

【要約】【課題】CVD法の利点である低真空度成長・低温成長と高度被覆性を満足すると同時に、結晶性や電気特性においてPVD膜に劣らないヘテロエピタキシャル膜を形成することが可能な新規なCVD法を提供する。【解決手段】CVDの成長期間を少なくとも2つに分割し、原料蒸気の輸送量を抑制して極めて緩やかに成長を行う「緩成長期間」と、これに引続き、原料蒸気の輸送量を抑制せず高速で成長を行う「急成長期間」とに分けて薄膜形成するように構成した化学的気相成長法。

請求項（抜粋）：

一つまたは複数の化学的原料蒸気を、反応器に輸送し、反応器内に設置した単結晶基板の近傍で化学反応させ、該単結晶基板に基板とは異種の単結晶膜をヘテロエピタキシャル成長させる化学的気相成長法において、該単結晶膜をヘテロエピタキシャル成長させる成長期間を、該原料蒸気の輸送量を抑制して極めて緩やかに成長を行う緩成長期間と、これに引続き、該原料蒸気の輸送量を抑制せず高速で成長を行う急成長期間とに、少なくとも2分割したことを特徴とする化学的気相成長法。

IPC (5件)：

C30B 25/02 , C30B 35/00 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (5件)：

C30B 25/02 Z , C30B 35/00 , H01L 21/205 , H01L 21/31 B , H01L 21/316 X

引用特許：

出願人引用 (10件)

特開昭62-213251
特開平4-108697
特開昭64-024319

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審査官引用 (9件)

特開昭62-213251
特開平4-108697
特開昭64-024319

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