特許
J-GLOBAL ID：200903079075186321
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-050104
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139043
出願日： 1995年03月09日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【構成】Ca、Ba、Sr、PbおよびLaからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素、およびZrおよびTiからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素のβジケトン錯体化合物、並びに酸化剤を原料とする化学気相成長法を用いることにより、 400Torr以下の圧力下、1000°C以下の温度において、反応律速条件で誘電体薄膜を形成する。【効果】より誘電率が高い誘電体薄膜を、段差のある複雑な形状の基板上に均一に形成することができ、より集積度の高い半導体装置を製造することができる。
請求項（抜粋）：
半導体層上に、下記の一般式(1)で表わされる化合物からなる誘電体薄膜を形成する工程を具備した半導体装置の製造方法であって、ABO3 ......(1)(ここで、AはCa、Ba、Sr、PbおよびLaからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素であり、BはZrおよびTiからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素である)前記誘電体薄膜の形成は、前記元素Aのβジケトン錯体化合物と、前記元素Bのβジケトン錯体化合物と、酸化剤とを含む原料ガスを用いた化学的気相成長法により、400 Torr以下の圧力下において、1000°C以下の温度で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, H01L 21/314
, H01L 21/316
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
