半導体メモリ素子のキャパシタ構造及びその形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-276782
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097883
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】強誘電体薄膜を有するキャパシタ構造中に水素や水分が拡散し難い構造を有する半導体メモリ素子を提供する。【解決手段】半導体メモリ素子のキャパシタ構造は、(イ)基体20上に形成された下部電極22と、(ロ)下部電極22上に形成された強誘電体薄膜から成るキャパシタ部23と、(ハ)キャパシタ部23の上に形成された上部電極26から成り、(ニ)基体20と下部電極22の間に形成された、4A族遷移金属、5A族遷移金属、4A族遷移金属窒化物、5A族遷移金属窒化物、シリコン窒化物、ニッケル又はパラジウムから構成された第1の保護層21と、(ホ)上部電極26の上に形成された、4A族遷移金属、5A族遷移金属、4A族遷移金属窒化物、5A族遷移金属窒化物、ニッケル又はパラジウムから構成された第2の保護層27を更に備えている。

請求項（抜粋）：

(イ)基体上に形成された下部電極と、(ロ)該下部電極上に形成された強誘電体薄膜から成るキャパシタ部と、(ハ)該キャパシタ部の上に形成された上部電極、から成る半導体メモリ素子のキャパシタ構造であって、(ニ)該基体と下部電極の間に形成された、4A族遷移金属、5A族遷移金属、4A族遷移金属窒化物、5A族遷移金属窒化物、シリコン窒化物、ニッケル及びパラジウムから構成された材料群から選択された材料から成る1層若しくは多層の第1の保護層と、(ホ)該上部電極の上に形成された、4A族遷移金属、5A族遷移金属、4A族遷移金属窒化物、5A族遷移金属窒化物、ニッケル及びパラジウムから構成された材料群から選択された材料から成る1層若しくは多層の第2の保護層、を更に備えていることを特徴とする半導体メモリ素子のキャパシタ構造。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-092468
強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-254378 出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
特開平2-183569

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