特許

J-GLOBAL ID：200903006703263287

半導体量子井戸構造およびその製造方法

発明者： 白石 賢二 ,  永瀬 雅夫 ,  堀口 誠二 ,  小野 行徳 ,  影島 博之 ,  高橋 庸夫 ,  田村 浩之
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-305370
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133795
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 基板面に対して横方向に形成することができるようにし、高温動作を可能にさせる。【解決手段】 絶縁膜2と、この絶縁膜2に接しかつ圧縮歪みを有する間接遷移型半導体からなる第1の半導体領域(領域4b)と、絶縁膜2上に第1の半導体領域(領域4b)を挟むようにして接するとともに第1の半導体領域(領域4b)とは異なる圧縮歪みを有しかつ間接遷移型半導体からなる第2および第3の半導体領域(領域4c)とを備えている。そして、第1の半導体領域(領域4b)は、そのバンドギャップが第2および第3の半導体領域(領域4c)のバンドギャップよりも小さい。

請求項（抜粋）：

絶縁膜と、この絶縁膜に接しかつ圧縮歪みを有する間接遷移型半導体からなる第1の半導体領域と、前記絶縁膜上に前記第1の半導体領域を挟むようにして接するとともに前記第1の半導体領域とは異なる圧縮歪みを有しかつ前記間接遷移型半導体からなる第2および第3の半導体領域とを備え、前記第1の半導体領域は、そのバンドギャップが前記第2および第3の半導体領域のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする半導体量子井戸構造。

IPC (4件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/66 ,  H01S 5/30

FI (4件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/66 ,  H01S 3/18 670

Fターム (11件)：

5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045BB16 ,  5F045DA56 ,  5F045DA69 ,  5F045DC65 ,  5F073AA75 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073DA21

引用特許：

審査官引用 (1件)

• クーロンブロッケイド素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-275544   出願人：日本電信電話株式会社