特許
J-GLOBAL ID：200903006724950950
交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-366972
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094141
出願日： 2000年12月01日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【目的】 耐食性に優れた反強磁性材料としてPtMn合金膜が知られているが、前記PtMn合金膜を反強磁性層として使用しても、結晶粒界の状態によって交換結合磁界は小さくなることがわかった。【構成】 本発明では、反強磁性層(PtMn合金膜)に形成された結晶粒界と、強磁性層に形成された結晶粒界が、界面の少なくとも一部で不連続な状態になっている。これによって前記反強磁性層は熱処理を施すことによって適切な規則変態を起しており、従来に比べて大きな交換結合磁界を得ることが可能である。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と強磁性層とが接して形成され、前記反強磁性層と強磁性層との界面に交換結合磁界が発生し、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記反強磁性層は、元素X(ただしXは、Pt,Pd,Ir,Rh,Ru,Osのうち1種または2種以上の元素である)とMnとを含有する反強磁性材料で形成され、前記交換結合膜を膜厚方向と平行な切断面に現われる前記反強磁性層に形成された結晶粒界と、強磁性層に形成された結晶粒界とが前記界面の少なくとも一部で不連続であることを特徴とする交換結合膜。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA04
, 5E049BA12
, 5E049DB04
, 5E049DB12
, 5E049GC01
