特許

J-GLOBAL ID：200903006737804082

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 足立 秀人 ,  木戸口 勲 ,  上山 智 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202199
公開番号（公開出願番号）：特開平7-154028
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【構成】 本発明の半導体レーザは屈折率導波型構造を有し、リッジストライプ613の中心から左右に数十ミクロン程度はなれた位置に溝614が形成されている。左右の溝の中心間の距離は30μmと200μmの間である。溝614のエッチングはエッチング停止層606により制御され、第一のp型AlGaInPクラッド層605の表面で停止している。さらにp型GaAsコンタクト層610上のリッジストライプ613上方部分に電流注入のためのストライプ状の開口を設けた絶縁膜611が形成されている。【効果】 上記構成では溝614が多重量子井戸活性層604に達していないため溝作製時にpn接合を横切って表面準位が発生することはない。従って、小さい寄生容量と高い効率を同時に満たすことが可能となり、高周波重畳による低雑音化が実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に形成され、活性層と、該活性層を挟む一対のクラッド層と、該活性層のストライプ状所定領域に電流を注入するための電流ブロック層と、を有する積層構造と、を備えた半導体レーザであって、該一対のクラッド層のうち、該活性層よりも上方に位置するクラッド層は、該半導体レーザの共振器方向に沿って延びるストライプ状リッジを有しており、該電流ブロック層は、該ストライプ状リッジを有する該クラッド層上において、該ストライプ状リッジ以外の領域を覆っており、しかも、該活性層の上面レベルよりも高いレベルに最下部を有する溝が、該ストライプ状リッジの両側に形成されている半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-156588
  
• 半導体レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-361112   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-225985