特許
J-GLOBAL ID：200903006769320508
GaN単結晶の合成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012645
公開番号（公開出願番号）：特開平11-209199
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年08月03日
要約：
【要約】【課題】 大型で高品質なGaNエピタキシャル膜を高速に成長させる。【解決手段】 窒素原子を含むガス中に2つの温度領域T<SB>1</SB>、T<SB>2</SB>を形成するとともに、各領域の温度をT<SB>1</SB><T<SB>2</SB>とする。低温領域T<SB>1</SB>に固体のGa源8、高温領域T<SB>2</SB>にGaNの種結晶またはGaN単結晶の基板13をそれぞれ設置する。低温領域T<SB>1</SB>からGaを蒸発させ、その蒸発させたGaをガス中の窒素成分と反応させてGaN形成ガスを形成し、GaN形成ガスを高温領域T<SB>2</SB>の種結晶またはGaN単結晶の基板13に到達させてGaN単結晶を合成する。
請求項（抜粋）：
窒素原子を含むガス中に2つの温度領域T<SB>1</SB>、T<SB>2</SB>を形成するとともに、各領域の温度をT<SB>1</SB><T<SB>2</SB>とし、低温領域T<SB>1</SB>に固体のGa、高温領域T<SB>2</SB>にGaNの種結晶またはGaN単結晶基板をそれぞれ設置して、前記低温領域T<SB>1</SB>からGaを蒸発させ、その蒸発させたGaを前記ガス中の窒素成分と反応させてGaN形成ガスを形成し、前記GaN形成ガスを前記高温領域T<SB>2</SB>の種結晶またはGaN単結晶基板に到達させてGaN単結晶を合成することを特徴とするGaN単結晶の合成方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, H01L 21/205
, H01L 33/00
C30B 29/38 D
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
