特許
J-GLOBAL ID：200903006803826289
半導体集積回路の露光方法及び露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303123
公開番号（公開出願番号）：特開2001-125252
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 従来のダミーパターン発生方法では、設計データ生成中に大量のダミーパターンを一括発生し、これを合成したため、データ量が大幅に膨れ上がるという問題点があった。【解決手段】 露光装置に入力した露光パターンデータから所定の単位領域毎の露光パターンデータを抽出し、抽出した露光パターンデータと、所定の単位領域毎のダミーパターンデータとをマージし、マージした露光パターンデータとダミーパターンデータとを単位領域毎に露光処理するステップとを有することを特徴とする半導体集積回路の露光方法。
請求項（抜粋）：
露光装置に露光パターンデータを入力するステップと、前記露光パターンデータから所定の単位領域毎の露光パターンデータを抽出するステップと、前記抽出した露光パターンデータと、前記所定の単位領域と同一の単位領域毎のダミーパターンデータとをマージするステップと、前記マージした露光パターンデータとダミーパターンデータとを前記所定の単位領域毎に露光処理するステップとを有することを特徴とする半導体集積回路の露光方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 541 J
2H095BB02
, 5F056AA16
, 5F056CC14
, 5F056EA06
