特許

J-GLOBAL ID：200903006871156763

固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置

発明者： 滝澤 律夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-332780
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147680
出願日： 2004年11月17日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】入射光によってシリコン基板の表面で発生した電子が、基板表面に沿って横方向に拡散し、読み出しゲート部またはチャネルストップ部を通過して転送チャネル領域へ漏れ込むことによって発生する成分がスミア成分として支配的となる。【解決手段】pn接合によるフォトダイオードの基板表面側に正電荷蓄積領域22を形成してなる埋込み型フォトダイオード構造のCCD固体撮像素子において、センサ表面の正電荷蓄積領域22内にゲッタリングサイトであるゲッター領域23を形成し、入射光によってエピタキシャル基板10の表面で発生した電子を当該ゲッター領域23によって捕獲することで、転送チャネル領域31に漏れ込むスミア成分を抑制する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表層部に形成された光電変換素子と、当該光電変換素子の基板表面側に形成された不純物領域とを含む受光部が配置されてなる固体撮像素子であって、 前記不純物領域内にゲッター領域を有する ことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 21/322 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 B ,  H01L21/322 J ,  H04N5/335 F

Fターム (13件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA01 ,  4M118CA04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  5C024AX01 ,  5C024CX13 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-247502   出願人：松下電子工業株式会社

審査官引用 (1件)

• Si半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-239260   出願人：ゴールドスターエレグトロンカンパニーリミテッド