特許
J-GLOBAL ID：200903006876608778
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-029902
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123941
出願日： 2007年02月09日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】上層再配線を有する半導体装置の製造方法に際し、上層再配線を電解メッキ以外の方法で形成して、工程数を低減する。【解決手段】ベース板1の上面中央部にCSPと呼ばれる半導体構成体2を接着層3を介して接着する。ベース板1の上面には樹脂からなる矩形枠状の絶縁層14をその上面が半導体構成体2の上面とほぼ面一となるように形成する。半導体構成体2および絶縁層14の上面にはプリプレグ材からなる絶縁膜15をその上面を平坦として形成する。絶縁膜15の上面の所定の箇所には、金属板をパターニングしてなる上層再配線16を形成する。この場合、上層再配線16の下面に一体的に形成された裁頭円錐形状の突起電極17は、絶縁膜15に食い込むように柱状電極12の上面中央部に接続する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の外部接続用電極を有する半導体構成体の上面を絶縁膜で覆う工程と、
前記絶縁層上に前記各外部接続用電極に対応する突起電極を有する金属板を配置する工程と、
前記金属板の各突起電極を前記絶縁膜に食い込ませて前記各外部接続用電極に接続する工程と、
前記金属板をパターニングして再配線を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 501P
, H01L21/60 311S
5F044KK01
, 5F044LL11
, 5F044QQ00
, 5F044QQ04
, 5F044QQ05
