半導体装置およびその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-172711
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078782
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良する。【構成】概略三角形状の絶縁物22によって、ソース/ドレイン領域へのコンタクト部を自己整合的に決める。この構成をとることにより、マスク合わせを行わずに25の距離を決めることができ、しかもその距離を短くできるので、ソース/ドレイン領域の抵抗があまり問題とならない構成を実現できる。また28をシリサイド層とすることによって、ソース/ドレイン領域のシート抵抗を下げ、TFTの特性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

ゲイト電極側面の絶縁層に密接して概略三角形状の絶縁物が設けられ、ソース/ドレイン領域表面には、シリサイド層が形成されており、前記絶縁物によって、ソース領域及びドレイン領域へのコンタクト位置が定まっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/265 , H01L 21/266 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/265 S , H01L 29/78 311 P , H01L 21/265 M , H01L 21/88 F , H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-318779
特開平3-203322
特開平4-360580

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