特許
J-GLOBAL ID:200903006878718317
モノリシックマイクロ波集積回路及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 強
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-255201
公開番号(公開出願番号):特開2000-090801
出願日: 1998年09月09日
公開日(公表日): 2000年03月31日
要約:
【要約】【課題】 マイクロ波のスイッチングにマイクロマシンスイッチを用いながら、マイクロ波の損失が大きくなることを防止し、また、製造コストが高くなることを防止する。【解決手段】 本発明のモノリシックマイクロ波集積回路1は、半導体基板2を備え、この半導体基板2に設けられたマイクロ波トランジスタ3を備え、半導体基板2に設けられマイクロ波トランジスタ3を配線するための伝送線路4を備え、半導体基板2に設けられた固定電極9を備え、半導体基板2に固定電極9と対向するように設けられ伝送線路4と同じ材料により形成された橋架状をなす可動電極10を備え、そして、可動電極10と固定電極9とからマイクロマシンスイッチ5を構成したものである。
請求項(抜粋):
半導体基板と、この半導体基板に設けられたマイクロ波トランジスタと、前記半導体基板に設けられ、前記マイクロ波トランジスタを配線するための伝送線路と、前記半導体基板に設けられた固定電極と、前記半導体基板に前記固定電極と対向するように設けられ、前記伝送線路と同じ材料により形成された橋架状または片持ち状をなす可動電極とを備え、前記可動電極と前記固定電極とからマイクロマシンスイッチを構成したことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路。
IPC (3件):
H01H 59/00
, B62D 57/00
, H01L 21/3205
FI (3件):
H01H 59/00
, B62D 57/00 B
, H01L 21/88 Z
Fターム (20件):
5F033GG02
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH18
, 5F033MM08
, 5F033PP19
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ13
, 5F033QQ19
, 5F033QQ37
, 5F033RR06
, 5F033SS15
, 5F033VV10
, 5F033VV13
, 5F033WW01
, 5F033WW02
, 5F033XX12
, 5F033XX34
引用特許: