特許
J-GLOBAL ID：200903006913281180
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-084434
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296588
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】ヒートシンクの大面積化に対応できる樹脂モールド半導体装置を提供する。【解決手段】パワー素子パッケージ100は、半導体チップ7、放熱部材1,4、モールド樹脂部11、制御信号用リード端子8および大電流用リード端子9,10を備えている。半導体チップ7と放熱部材1,4とは、半田接続部5,6により導通接続されている。放熱部材1の受熱面1pには絶縁層2および導体層3が設けられ、制御信号用リード端子8は、導体層3を介して半導体チップ7のゲート7gに導通している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一方の主面側に第1電極、他方の主面側に第2電極、少なくとも一方の主面側に制御電極が露出した半導体スイッチング素子と、前記第1電極と前記第2電極とにそれぞれ導通接続される形で前記半導体スイッチング素子の上下に配置された放熱部材と、前記放熱部材間を充填するモールド樹脂部を備えた半導体装置において、
前記放熱部材の前記半導体スイッチング素子が配置される側の面上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導体層とを備え、
前記導体層は、前記制御電極と導通するとともに、前記モールド樹脂部の外側に露出する制御信号入力部を含んで構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/48 G
, H01L23/36 A
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BB14
, 5F036BC06
, 5F036BD01
, 5F036BD21
