特許
J-GLOBAL ID:200903032927943489
半導体スイッチングモジュ-ル及びそれを用いた半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-118093
公開番号(公開出願番号):特開2001-308263
出願日: 2000年04月19日
公開日(公表日): 2001年11月02日
要約:
【要約】【課題】半導体チップの両面から強力に冷却可能な両面冷却型半導体装置を提供すること。【解決手段】ハイサイド側の半導体チップ4aと、ロ-サイド側の半導体チップ4bを直列接続してなるインバ-タ回路を内蔵する半導体スイッチングモジュ-ルにおいて、ハイサイド板1、ローサイド板2とミドルサイド板3とで半導体チップ4a、4bをサンドイッチする構造を採用し、ミドルサイド板3は共通部材とされ、ハイサイド板1、ローサイド板2は同一サイドに配置される。これによりインバータ回路用半導体スイチングモジュールを両面冷却性を損なうことなくコンパクトにすることができる。
請求項(抜粋):
ハイサイド側の半導体スイッチング素子が形成されたハイサイド側の半導体チップと、ロ-サイド側の半導体スイッチング素子が形成されたロ-サイド側の半導体チップとを有し、前記両半導体スイッチング素子を直列接続してなるインバ-タ回路を内蔵する半導体スイッチングモジュ-ルにおいて、それぞれ金属板からなるハイサイド板、ミドルサイド板、ローサイド板を有し、前記両半導体チップの出力側の主電極面は、互いに離れて前記ミドルサイド板の内側主面に直接あるいは導電部材を介して接合され、前記ハイサイド側の半導体チップの高位電源側の主電極面は、前記ハイサイド板の内側主面に直接あるいは導電部材を介して接合され、前記ロ-サイド側の半導体チップの低位電源側の主電極面は、前記ローサイド板の内側主面に直接あるいは導電部材を介して接合され、前記両半導体チップは、前記ミドルサイド板、ハイサイド板及びローサイド板の外主面を露出させてモ-ルドされる封止樹脂部により一体に被覆されていることを特徴とする半導体スイッチングモジュ-ル。
IPC (2件):
引用特許:
出願人引用 (5件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-212325
出願人:株式会社デンソー
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-081002
出願人:富士電機株式会社
-
モジュール構造の半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-006800
出願人:富士電機株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-217049
出願人:株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社
-
パワーデバイスチップの実装構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-160761
出願人:日産自動車株式会社
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審査官引用 (5件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-212325
出願人:株式会社デンソー
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-081002
出願人:富士電機株式会社
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モジュール構造の半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-006800
出願人:富士電機株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-217049
出願人:株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社
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パワーデバイスチップの実装構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-160761
出願人:日産自動車株式会社
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