特許

J-GLOBAL ID：200903006946586777

高周波電力増幅装置および無線通信機

発明者： 丸山 昌志 ,  赤嶺 均 ,  小堀 勉 ,  森山 伸治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-300423
公開番号（公開出願番号）：特開2000-209038
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 アイドル電流の温度特性を負の温度特性とすることにより歪特性向上を図る。【解決手段】 第1電極および第2電極ならびに制御電極で構成され前記第1電極と前記第2電極間に流れる電流を前記制御電極への電位の印加制御で行うトランジスタと、前記トランジスタの制御電極に印加される直流バイアス電位を決定する抵抗分圧回路とを有し、前記制御電極に入力信号が入力され、前記第1電極から出力信号を出力し、前記抵抗分圧回路に制御信号が入力される高周波電力増幅装置であり、前記制御信号が入力されないときの出力であるアイドル電流の温度特性が負の温度特性になるように、前記抵抗分圧回路の一の抵抗は抵抗値がリニアに変化する温度補償型抵抗で構成されている。

請求項（抜粋）：

入力端子と、出力端子と、コントロール端子と、上記入力端子からの信号を受ける制御端子と、上記入力端子からの信号に応じた信号を出力する第1端子とを有する第1の半導体増幅素子と、上記第1の半導体増幅素子の第1端子から出力された信号に応じた信号を受ける制御端子と、上記出力端子に接続され、上記信号に従った信号を出力する第1端子とを有する第2の半導体増幅素子と、上記コントロール端子に接続され上記第1の半導体増幅素子の制御端子に上記コントロール端子に供給される電圧に従った直流バイアス電位を印加する第1のバイアス回路とを有し、上記入力端子から信号が入力されないときの出力であるアイドル電流の温度特性が負の温度特性になるように、上記第1のバイアス回路には、その抵抗値がリニアに変化する第1の抵抗が含まれていることを特徴とする高周波電力増幅装置。

IPC (5件)：

H03F 1/30 ,  H03F 1/02 ,  H03F 1/32 ,  H03F 3/195 ,  H03F 3/24

FI (5件)：

H03F 1/30 A ,  H03F 1/02 ,  H03F 1/32 ,  H03F 3/195 ,  H03F 3/24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高周波増幅モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-237610   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-032739   出願人：三菱電機株式会社