特許
J-GLOBAL ID：200903006948591301

熱処理装置

発明者：
楠田 達文

楠田 達文 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (1件)： 大坪 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078602
公開番号（公開出願番号）：特開2003-173983
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】基板を短時間に処理温度まで昇温させることにより、イオンの拡散を防止することができる熱処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 熱処理装置は、半導体ウエハーWを摂氏400度乃至摂氏600度の温度に予備加熱するハロゲンランプ22と、半導体ウエハーWに対して0.1ミリセカンド乃至10ミリセカンド程度の時間の間に閃光を照射することによりハロゲンランプ22で予備加熱された半導体ウエハーWを摂氏1000度乃至摂氏1100度程度の処理温度まで昇温させるキセノンフラッシュランプ21とを備える。
請求項（抜粋）：
基板に光を照射することにより基板を熱処理する熱処理装置において、基板を摂氏400度乃至摂氏600度の温度に予備加熱するアシスト加熱手段と、基板に対して閃光を照射することにより、前記アシスト加熱手段で予備加熱された基板を処理温度まで昇温させるフラッシュ加熱手段と、を備えたことを特徴とする熱処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/26 ,  H01L 21/265 602
FI (3件)：
H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/26 J ,  H01L 21/26 T
引用特許：
審査官引用 (7件)
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