特許
J-GLOBAL ID：200903067043044551

半導体装置の製造方法

発明者：
獅子口 清一

獅子口 清一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-278928
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114197
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 浅い接合でかつ低抵抗のN型拡散層とP型拡散層を同時のアニール処理によって形成することを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板にイオン注入したP型不純物とN型不純物を活性化するアニール処理として、酸素添加雰囲気において、イオン注入により前記半導体基板に発生する点欠陥が要因とされる増速拡散(TED)が生じる温度まで急速昇温し、かつその後に半導体基板の酸化が要因とされる増速拡散(OED)の発生を抑制する工程を含む。酸素添加雰囲気での急速昇温により半導体基板の表面に形成される酸化膜によってN型不純物の外方拡散を抑制し、かつまたOEDを抑制することよってイオン注入されたP型不純物の内方拡散を抑制する。これにより、P型拡散層及びN型拡散層を同時に浅い接合でかつ低抵抗に形成することが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板にP型不純物とN型不純物をそれぞれイオン注入し、その後に前記各注入された不純物を活性化するアニール処理を行う工程を含む半導体装置の製造方法において、前記アニール処理は、酸素添加雰囲気において、前記イオン注入により前記半導体基板に発生する点欠陥が要因とされる増速拡散(TED)が生じる温度まで急速昇温し、かつその後に前記半導体基板の酸化が要因とされる増速拡散(OED)の発生を抑制する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (2件)：
H01L 21/265 602 B ,  H01L 27/08 321 B
Fターム (13件)：
5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BC06 ,  5F048BE01 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F048DB06
引用特許：
審査官引用 (5件)
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