特許
J-GLOBAL ID：200903006997097428
半導体材料薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-233428
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181011
出願日： 1996年09月03日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 従来の半導体材料薄膜の製造方法においては、自立可能な強度を有する薄膜を得ることが困難であった。【解決手段】 半導体材料から形成される薄膜の製造方法であって、-半導体材料から形成されているウェハ10内において表面層18の範囲を規定するようウェハ10内にガス状微小ブリスターからなる分裂層16を形成するために、ウェハの表面14を通してイオン12を打ち込むステップと、-微小ブリスター層16に沿った表面層18の分離を引き起こすに十分な高温でウェハ10を熱処理するステップとを具備してなり、十分に剛直な薄膜を得るために、イオンの侵入深さが最小所定深さを超えるようなエネルギーで、打込が行われる。
請求項（抜粋）：
半導体材料から形成される薄膜の製造方法であって、-半導体材料から形成されているウェハ(10)内において表面層(18)の範囲を規定するよう前記ウェハ内にガス状微小ブリスターからなる分裂層(16)を形成するために、前記半導体の結晶面に対して実質的に平行な前記ウェハの表面(14)を通してイオン(12)を打ち込むステップと、-結晶再配列効果および前記ガス状微小ブリスター(16)における圧力効果に基づいて、前記微小ブリスター層に沿った前記表面層(18)の前記ウェハの残部からの分離を引き起こすに十分な高温で前記ウェハを熱処理するステップとを具備してなり、この場合において、前記熱処理により分離され得るよう十分に剛直でありかつ前記表面層を含む薄膜を得るために、イオンの侵入深さが最小所定深さを超えるようなエネルギーで、打込が行われることを特徴とする半導体材料薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 Q
, C30B 31/22
