基板処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小谷悦司 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-179537
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027770
出願日： 1996年07月09日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】水洗処理をより均一に行うことにより基板品質を高める。【解決手段】薬液又は水洗用の純水を貯留した複数の処理槽12を並設し、基板Bを収納したキャリア11をハンドリング手段18によって搬送しつつ薬液及び純水に順次浸漬するように基板処理装置10を構成した。ハンドリング手段18には、Z軸モータ38の駆動により上下動するヘッド32を設け、これに装備されたアーム34によりキャリア11を保持し、ヘッド32の上下動に伴いキャリア11を処理槽12に対して出し入れするようにした。また、コントローラ45を設け、薬液槽から水洗槽へのキャリア11の移送時には、薬液槽からの取出し後、水洗槽への投入時まで基板表面が乾燥することのない範囲の最小限の薬液膜を基板表面に形成する速度でキャリア11を薬液槽から取出すようにヘッド32を制御するようにした。

請求項（抜粋）：

薬液を貯留した薬液槽と、純水を貯留した水洗槽と、基板を保持し、薬液槽と水洗槽との間を移動し、かつ、薬液槽または水洗槽において昇降して基板を薬液槽内の薬液または水洗槽内の純水に浸漬させるハンドリング手段と、薬液槽の薬液に浸漬されている基板がハンドリング手段の上昇によって薬液から取り出された後、水洗槽内の純水に浸漬されるまで、基板の表面が乾燥することのない範囲の最小限の薬液膜が基板表面に形成される速度でハンドリング手段を上昇させる制御手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/304 341 C , H01L 21/304 341 T , H01L 21/68 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

シリコンウェーハのHF洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-105116 出願人：信越半導体株式会社
半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-000520 出願人：三菱瓦斯化学株式会社, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
洗浄装置及び洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-182982 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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