特許

J-GLOBAL ID：200903007019972194

主成分分析を用いてプロセスをモニタするための方法と装置

発明者： ラリーサ バラスブラムハンヤ ,  モーシュ サーファティ ,  ジェド ダヴィドー ,  ディミトリス ピー. リンバロパウロス
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207306
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060585
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 主成分分析を使用することによってプロセスをモニタするための方法と装置が提供される。【解決手段】 相関計数値は、モニタしようとするプロセス(製造プロセス)プロセスに対して測定される。次いで、少なくとも1つの製造主成分を発生させるために相関係数の測定値に対して主成分分析が実行され、そして、少なくとも1つの製造主成分が、検量プロセス(検量主成分)と関連する主成分と比較される。

請求項（抜粋）：

製造プロセスをモニタする方法であって、製造プロセスの相関計数値を測定するステップと、少なくとも1つの製造主成分を発生させるために相関係数の測定値に対して主成分分析を実行するステップと、少なくとも1つの製造主成分を検量プロセスの検量主成分と比較するステップとを有する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 21/302 E ,  H01L 21/02 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-164937   出願人：広島日本電気株式会社
• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-079917   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体ウェーハ処理システムの複数のパラメータを用いてプロセスを監視する方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-167642   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• ドライエッチング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-103752   出願人：日本電気株式会社