特許
J-GLOBAL ID：200903007030925343
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-141914
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326353
出願日： 2000年05月15日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】【課題】 コンタクト抵抗の低減とキャリア注入効率の低減を図る。【解決手段】 n型半導体基板1内には、p型不純物層2が形成される。p型不純物層2の不純物濃度は、低く、かつ、その深さは、1.0μm以下と十分に浅いため、キャリア注入効率が低減される。p型不純物層2内には、コンタクト抵抗を下げるための高濃度のp型コンタクト層4が形成される。p型コンタクト層4の深さは、0.2μm以下と十分に浅いため、キャリア注入効率に影響を与えることがない。また、p型コンタクト層4と電極3の間には、p型コンタクト層の濃度プロファイルのピーク位置まで達するシリサイド層5が形成される。このシリサイド層5により、さらなるコンタクト抵抗の低下を実現する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に形成され、前記半導体基板の表面から1.0μm以下の厚さを有する第2導電型の不純物層と、前記不純物層内に形成され、前記半導体基板の表面から0.2μm以下の厚さを有し、前記不純物層の厚さよりも薄く、前記不純物層の不純物濃度よりも濃い第2導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層上に形成される第1電極とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 655
, H01L 29/78
, H01L 29/78 652
, H01L 21/28 301
H01L 29/78 655 C
, H01L 29/78 655 D
, H01L 29/78 652 J
, H01L 21/28 301 M
4M104BB02
, 4M104BB03
, 4M104CC01
, 4M104DD26
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD78
, 4M104DD84
, 4M104FF31
, 4M104GG20
, 4M104HH15
