特許

J-GLOBAL ID：200903007046968077

半導体装置の製造方法

発明者： 深澤 元彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-004003
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197568
出願日： 2004年01月09日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】 高品質の貫通電極を形成することにある。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)集積回路12が形成された半導体基板10に第1の面20から凹部22を形成すること、(b)凹部22の少なくとも底面に樹脂層28を設けること、(c)凹部22の樹脂層28よりも内側に導電部30を形成すること、(d)ウエットエッチングすることによって、半導体基板10の第1の面20とは反対側の第2の面21から樹脂層28を露出させること、(e)半導体基板10の第2の面21から導電部30を露出させること、を含む。【選択図】 図10

請求項（抜粋）：

(a)集積回路が形成された半導体基板に第1の面から凹部を形成すること、 (b)前記凹部の少なくとも底面に樹脂層を設けること、 (c)前記凹部の前記樹脂層よりも内側に導電部を形成すること、 (d)ウエットエッチングすることによって、前記半導体基板の前記第1の面とは反対側の第2の面から前記樹脂層を露出させること、 (e)前記半導体基板の前記第2の面から前記導電部を露出させること、 を含む半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (3件)：

H01L21/88 J ,  H01L25/08 Z ,  H01L23/52 C

Fターム (32件)：

5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033NN39 ,  5F033PP26 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ53 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS21 ,  5F033VV07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-226502   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 特開平3-209828
  
• 特開昭60-007148
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-196777   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-398383   出願人：株式会社東芝