特許
J-GLOBAL ID：200903007077189025

半導体集積回路装置の製造方法

発明者：
井上 修

井上 修 について

, 
長谷川 昇雄

長谷川 昇雄 について

, 
池田 修二

池田 修二 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-313513
公開番号（公開出願番号）：特開2002-122976
出願日： 2000年10月13日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 パターンの解像度を向上させる。【解決手段】 変形照明による露光光をフォトマスクMKを介して半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に照射することにより前記半導体ウエハに所定のパターンを転写する露光処理に際し、前記フォトマスクMKとして、マスク基板1上のハーフトーン膜2の一部を除去することで形成された開口部であって前記所定のパターンの転写用の主開口部3および前記ハーフトーン膜2の一部を除去することで形成された開口部であって前記半導体ウエハ上には解像されない補助開口部4が周期性を持つ状態で配置されたフォトマスクMKを用いるようにした。
請求項（抜粋）：
(a)半導体ウエハ上にフォトレジスト膜を堆積する工程、(b)前記半導体ウエハ上のフォトレジスト膜にフォトマスクを介して変形照明による露光光を照射することにより前記半導体ウエハに所定のパターンを転写する工程を有し、前記フォトマスクは、マスク基板、その主面に形成されたハーフトーン膜、前記ハーフトーン膜の一部を除去することで形成された開口部であって前記所定のパターンを転写するための主開口部および前記ハーフトーン膜の一部を除去することで形成された開口部であって前記半導体ウエハ上には解像されない補助開口部を有し、前記主開口部および補助開口部を周期性を持つように配置したことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (8件)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/22 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (9件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 7/22 H ,  H01L 21/28 L ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 515 F ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 621 C
Fターム (61件)：
2H095BA02 ,  2H095BA07 ,  2H095BB01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB31 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104BB40 ,  4M104DD16 ,  4M104DD71 ,  4M104FF14 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F046AA21 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046CB05 ,  5F046CB17 ,  5F046CB23 ,  5F046DA02 ,  5F046DA14 ,  5F083AD24 ,  5F083AD31 ,  5F083AD48 ,  5F083GA09 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083KA20 ,  5F083MA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA18 ,  5F083NA02 ,  5F083NA03 ,  5F083PR01 ,  5F083PR29 ,  5F083ZA12
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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