特許
J-GLOBAL ID：200903009316174771
フォトマスクおよびフォトマスクを使用した露光方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-300251
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135402
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 メモリデバイスのコンタクトホールパターンの解像度を向上させるフォトマスクおよび露光方法を提供する。【解決手段】 半導体回路パターンに於ける複数個のパターン部分と対向する位置に、複数個のパターン部分のそれぞれに照射される所定の光ビームを通過せしめる複数個の主開口部4が設けられているフォトマスク20であって、フォトマスク20には、複数個の主開口部間4に、露光時に転写されない程度の光ビームを通過せしめる複数個の微細な補助開口部5が更に配置せしめられているフォトマスク20。
請求項（抜粋）：
半導体素子のパターンの少なくとも一部の複数個のパターン部分を形成する為に、当該半導体素子の複数個のパターン部分が形成される部位と対向する位置に、当該複数個のパターン部分が形成される部位のそれぞれに照射される所定の光ビームを通過せしめる複数個の主開口部が設けられているフォトマスクであって、当該フォトマスクには、当該複数個の主開口部間に、露光時に転写されない程度の光ビームを通過せしめる複数個の微細な補助開口部が更に配置せしめられていることを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 502 P
, G03F 7/20 521
