特許

J-GLOBAL ID：200903007084995460

高精度位置決め手段、光スイッチング素子、外部共振器半導体レーザ製造手段、及び、波長可変半導体レーザ製造手段

発明者： 武田 高司
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-050520
公開番号（公開出願番号）：特開2002-254400
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年09月10日
要約：

【要約】【課題】非常に高精度な位置決めができるのにも関わらず、光路を遮断することの無い高精度位置決め手段、光スイッチング素子、半導体レーザの端面及び反射ミラーにダメージを与えず、高精度の間隔を確保できる外部共振器半導体レーザ、及び、波長可変半導体レーザを提供する。【解決手段】シリコン膜に位置決めパターンを設け、部品の位置決め、接着後、シリコン膜を弗化キセノンガスによりエッチング除去する。【効果】シリコン膜成膜及び、弗化キセノンガスエッチングは、低温の工程であるため、樹脂等の部品にも使用でき、しかも、エッチング時に他の部品にダメージを与える事がない。

請求項（抜粋）：

基板上にシリコン膜を成膜後、位置決め用パターンをフォトリソ工程で作成すること、光学部品等の位置決め後固定すること、光学部品等の固定後、弗化キセノンガスにより位置決めパターンを除去すること、を特徴とする高精度位置決め手段。

IPC (5件)：

B81C 3/00 ,  G02B 6/26 ,  G02B 26/08 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/14

FI (5件)：

B81C 3/00 ,  G02B 6/26 ,  G02B 26/08 E ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/14

Fターム (19件)：

2H037BA32 ,  2H037DA02 ,  2H037DA11 ,  2H037DA17 ,  2H041AA14 ,  2H041AB14 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ01 ,  2H041AZ05 ,  2H041AZ08 ,  5F073AA67 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073AB29 ,  5F073BA01 ,  5F073DA21 ,  5F073EA03 ,  5F073FA23 ,  5F073FA27

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 微小部品組立方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-299955   出願人：松下技研株式会社
• マイクロマシンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-151865   出願人：ボールセミコンダクター株式会社