特許
J-GLOBAL ID：200903007095907679

配線構造およびその製造方法

発明者：
深沢 正永

深沢 正永 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-359304
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193326
出願日： 2002年12月11日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】層間絶縁膜と配線との間の拡散を防止し、半導体デバイスの性能に関する信頼性および製造歩留まりを向上させることが可能な配線構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】複数の空隙Sを含む上側IMD(層間絶縁膜)4に配線溝Tを形成し、その配線溝Tに露出した空隙Sに埋込絶縁膜5を埋め込んだのち、配線溝T内にバリア膜7を介して上側配線8を埋設する。バリア膜7の形成時に、配線溝Tに空隙Sが露出していないため、配線溝Tに露出した空隙Sの存在に起因してバリア膜7にピンホールが生じず、このバリア膜7により上側IMD4と上側配線8とが物理的に分離される。これにより、上側IMD4と上側配線8との間の拡散が防止されるため、半導体デバイスの抵抗特性が安定に確保される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の空隙を含むと共に配線埋設用の窪みを有する多孔質の層間絶縁膜と、 少なくとも前記窪みに露出した空隙に埋設された非多孔質の埋込絶縁膜と、 前記窪み内にバリア膜を介して埋設された配線と を備えたことを特徴とする配線構造。
IPC (1件)：
H01L21/768
FI (1件)：
H01L21/90 N
Fターム (38件)：
5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM19 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM