特許

J-GLOBAL ID：200903007102750527

化合物半導体素子

発明者： 榊原 勝利 ,  三瓶 義広 ,  三浦 明 ,  藤田 忠重 ,  赤坂 恭一
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005223
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208679
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 温度サイクル試験に耐える信頼性の高いモジュールを構成できる化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 化合物半導体チップの一面に一面が接続されたサブマウントと、このサブマウントの他面に一面が接続されたペルチェモジュールと、このペルチェモジュールの他面に一面が接続された放熱板と、この放熱板の一面に一面が接続されたパッケージと、このパッケージの開口部を覆うキャップと、このキャップに設けられた窓とを具備する化合物半導体素子において、前記化合物半導体チップの線膨張係数に近い材料からなるサブマウントとペルチェモジュールの基板と、熱抵抗が小さく且つ前記化合物半導体チップの線膨張係数に近い材料からなる放熱板と、この放熱板の線膨張係数に近い材料からなるパッケージとを具備した事を特徴とする化合物半導体素子である。

請求項（抜粋）：

化合物半導体チップの一面に一面が接続されたサブマウントと、このサブマウントの他面に一面が接続されたペルチェモジュールと、このペルチェモジュールの他面に一面が接続された放熱板と、この放熱板の一面に一面が接続されたパッケージと、このパッケージの開口部を覆うキャップと、このキャップに設けられた窓とを具備する化合物半導体素子において、前記化合物半導体チップの線膨張係数に近い材料からなるサブマウントとペルチェモジュールの基板と、熱抵抗が小さく且つ前記化合物半導体チップの線膨張係数に近い材料からなる放熱板と、この放熱板の線膨張係数に近い材料からなるパッケージとを具備した事を特徴とする化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 23/38 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/32

FI (3件)：

H01L 23/38 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/32 A

Fターム (5件)：

5F036AA01 ,  5F036BA33 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 冷却型固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-182764   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 特開昭62-031144
  
• サイリスタ容器の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-339643   出願人：日本特殊陶業株式会社