特許
J-GLOBAL ID:200903007114358711
導電性多孔質セラミックスの製造法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
吉田 俊夫
, 吉田 和子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-343678
公開番号(公開出願番号):特開2006-151737
出願日: 2004年11月29日
公開日(公表日): 2006年06月15日
要約:
【課題】抵抗値が低くしかも成形が容易な導電性多孔質セラミックス、特に導電性多孔質セラミックス中空糸の製造法を提供する。【解決手段】珪素化チタンTiSi2粉末を高分子物質の有機溶媒溶液中に高充填した製膜原液から複合膜を製膜し、得られた複合膜を少くとも400°C以上の加熱温度範囲では真空または不活性雰囲気環境下で焼成することによって、珪素化チタンを主成分として形成される導電性多孔質セラミックスを製造する。導電性多孔質セラミックスは、好ましくは中空糸膜状として形成される。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
珪素化チタンTiSi2粉末を高分子物質の有機溶媒溶液中に高充填した製膜原液から複合膜を製膜し、得られた複合膜を少くとも400°C以上の加熱温度範囲では真空または不活性雰囲気環境下で焼成することを特徴とする導電性多孔質セラミックスの製造法。
IPC (6件):
C04B 38/00
, B01D 69/08
, B01D 71/02
, C04B 35/58
, G01N 27/409
, G01N 27/406
FI (6件):
C04B38/00 304Z
, B01D69/08
, B01D71/02 500
, C04B35/58 106Z
, G01N27/58 B
, G01N27/58 Z
Fターム (22件):
2G004BE10
, 2G004BE20
, 2G004BE24
, 2G004BE26
, 2G004BE29
, 2G004ZA00
, 4D006GA41
, 4D006MA01
, 4D006MA06
, 4D006MA21
, 4D006MB17
, 4D006MC03X
, 4D006MC90
, 4D006NA04
, 4D006NA39
, 4D006PC80
, 4G001BA48
, 4G001BB48
, 4G001BC17
, 4G001BD22
, 4G001BE31
, 4G019GA04
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)