特許

J-GLOBAL ID：200903007132186600

ダイアモンド基板上炭化珪素並びに関連するデバイス及び方法

発明者： サクスラー,アダム・ウィリアム
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  大塚 住江
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-551378
公開番号（公開出願番号）：特表2007-519262
出願日： 2005年01月14日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

ワイドバンドギャップ材料内に、接合温度低下、動作中の高電力密度化、及び定格電力密度における信頼性向上を達成する高電力デバイスを形成する方法を、結果的に得られる半導体構造及びデバイスと共に開示する。本方法は、ダイアモンドの層を炭化珪素ウェハに添加して、得られる複合ウェハの熱伝導率を高め、その後、炭化珪素の上におけるエピタキシャル成長を支持するためにその十分な厚さを保持しつつ、複合ウェハの炭化珪素部分の厚さを削減し、複合ウェハの炭化珪素面を、その上におけるエピタキシャル成長のために、準備し、第III族窒化物ヘテロ構造を、ウェハの準備した炭化珪素面に添加することを含む。

請求項（抜粋）：

ワイドバンドギャップ材料内に、接合温度低下、動作中の高電力密度化、及び、定格電力密度における信頼性向上を達成する高電力デバイスを形成する方法であって、 低熱伝導率材料のウェハに、高熱伝導率材料の層を添加するステップであって、前記低熱伝導率材料が、前記高熱伝導率材料よりも優れた第III族窒化物に対する結晶格子一致度を有することにより、得られる複合ウェハの熱伝導率を高めるステップと、 その後、前記低熱伝導率部分の上におけるエピタキシャル成長を維持するためにその十分な厚さを保持しつつ、前記複合ウェハの低熱伝導率部分の厚さを削減するステップと、 前記複合ウェハの低熱伝導率表面を、その上におけるエピタキシャル成長のために、準備するステップと、 少なくとも1つの第III族窒化物エピタキシャル層を、前記ウェハの準備した低熱伝導率面に添加するステップと、 を備えていることを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L21/20 ,  H01L29/80 H ,  H01S5/323 610

Fターム (50件)：

5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC00 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC21 ,  5F152LL03 ,  5F152LM09 ,  5F152LN12 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152LP09 ,  5F152MM05 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM16 ,  5F152MM18 ,  5F152NN02 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN09 ,  5F152NN10 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN22 ,  5F152NN27 ,  5F152NP02 ,  5F152NP03 ,  5F152NP09 ,  5F152NP10 ,  5F152NP11 ,  5F152NP12 ,  5F152NQ02 ,  5F152NQ09 ,  5F152NQ20 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AR75

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-230747   出願人：日本電気株式会社
• 半導体部材、半導体装置およびそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-107340   出願人：キヤノン株式会社
• シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-099369   出願人：信越半導体株式会社