特許

J-GLOBAL ID：200903007205111760

半導体装置とその製造方法

発明者： 佐本 典彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-230747
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058562
出願日： 1998年08月17日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子を薄膜化することにより、熱抵抗を低減して熱伝導を改善し、更に、ダイヤモンド基板上に被着させることにより、熱伝導を改善し、放熱効果を大ならしめた高出力の砒化ガリウム電界効果トランジスタに好適な半導体装置を提供する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板上に分子線エピタキシャル法により半導体素子領域を成膜する際に、この半導体素子領域と半絶縁性GaAs基板の間にAlAs層を挿入しておく。このAlAs層を介して形成された半導体素子をエピタキシャルリフトオフにより半絶縁性GaAs基板から分離し、ダイヤモンド基板上に被着形成する。この結果、半導体素子を構成するGaAs厚さは薄く、且つ熱伝導度のよいダイヤモンド基板上に被着させられることによって、ダイヤモンド基板も含んだ半導体素子の熱抵抗は低減し、放熱効果が大きくなり、素子性能が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜上に形成した半導体素子と、この半導体薄膜を被着せしめたダイヤモンド基板とで構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  C30B 29/04 ,  H01L 23/373 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 29/80 G ,  C30B 29/04 W ,  H01L 27/12 B ,  H01L 23/36 M

Fターム (22件)：

4G077AA03 ,  4G077BE46 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  5F036AA01 ,  5F036BB03 ,  5F036BB05 ,  5F036BB08 ,  5F036BD01 ,  5F036BD16 ,  5F102FA10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL05 ,  5F102GR12 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-055454   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-110968
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-276933   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-333046   出願人：株式会社東芝