特許
J-GLOBAL ID：200903007172253210

ガリウム含有窒化物バルク単結晶の製造方法

発明者：
ロベルト・ドヴィリニスキ

ロベルト・ドヴィリニスキ について

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ロマン・ドラジニスキ

ロマン・ドラジニスキ について

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イエジ・ガルチニスキ

イエジ・ガルチニスキ について

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レシェック・ペ・シェシュプトフスキ

レシェック・ペ・シェシュプトフスキ について

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神原 康雄

神原 康雄 について


出願人/特許権者：
アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン

アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン について

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日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (3件)： 石井 久夫 ,  竹内 三喜夫 ,  田村 啓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-517422
公開番号（公開出願番号）：特表2005-530674
出願日： 2003年04月17日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
本発明は、超臨界アンモニア含有溶液の雰囲気における結晶成長のための方法における新たな改良に関する。この方法は、特定のアジドミネラライザーを使用することに基づき、さらにこの方法によりXIII族元素含有窒化物のバルク単結晶、特にガリウム含有窒化物バルク単結晶が改善されることとなる。このXIII族元素含有窒化物のバルク単結晶は、主に、様々な光電子装置等の窒化物ベース半導体製品のために意図されたものである。本発明はさらにLiN3、NaN3、KN3及びCsN3からなる群から選択された少なくとも1つの化合物を含む超臨界アンモニア含有溶液のために使用されるミネラライザーに関する。
請求項（抜粋）：
ミネラライザー存在下で超臨界アンモニア含有溶液からガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るための方法であって、 加圧された反応容器内において、溶媒としてアンモニアを使用し、ミネラライザーとしてI族元素アジド及び任意ではあるがII族元素アジドを使用して、I族元素イオン及び任意ではあるがII族元素イオンを含有する超臨界アンモニア含有溶液を調製し、 続いて溶解温度及び/又は溶解圧力でガリウム含有フィードストックを溶解し、その後結晶化温度及び/又は結晶化圧力で、所望のガリウム含有窒化物を超臨界溶液から少なくとも1つのシード表面上に結晶化させ、 上記結晶化温度及び/又は結晶化圧力が、結晶化される所望のガリウム含有窒化物の溶解度の温度係数及び圧力係数に従って選択されることを特徴とする方法。
IPC (5件)：
C30B29/38 ,  B01D9/02 ,  B01J3/00 ,  C30B7/10 ,  H01S5/323
FI (11件)：
C30B29/38 D ,  B01D9/02 601A ,  B01D9/02 602E ,  B01D9/02 603H ,  B01D9/02 604 ,  B01D9/02 608A ,  B01D9/02 618B ,  B01D9/02 625A ,  B01J3/00 A ,  C30B7/10 ,  H01S5/323 610
Fターム (14件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CB04 ,  4G077EA06 ,  4G077EC07 ,  4G077ED01 ,  4G077EJ09 ,  4G077HA12 ,  4G077KA03 ,  4G077KA05 ,  5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AP03 ,  5F173AR82
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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