窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-149892
公開番号（公開出願番号）：特開2002-053399
出願日： 1997年02月17日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】【目的】結晶性の良い窒化物半導体よりなる基板を提供する。【構成】第1の基板上に窒化物半導体が成長された第1のウェーハと、第2の基板上に窒化物半導体が成長された第2のウェーハとを用意し、前記第1と前記第2のウェーハとをそれぞれの窒化物半導体同士が密着するようにして接着した後、第1の基板と第2の基板とを除去する。

請求項（抜粋）：

少なくとも2層構造を有する窒化物半導体よりなる基板であって、それら窒化物半導体層のキャリア濃度が互いに異なることを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (5件)：

C30B 29/38 , H01L 21/02 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (5件)：

C30B 29/38 D , H01L 21/02 B , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (42件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB08 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077EB01 , 4G077FF07 , 4G077FJ03 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TC14 , 4G077TC15 , 4G077TC16 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA56 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045HA16 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073DA16 , 5F073DA35 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-037307 出願人：沖電気工業株式会社, 技術研究組合新情報処理開発機構
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-157219 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-219530 出願人：株式会社日立製作所

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