特許

J-GLOBAL ID：200903007194617801

高純度、高耐熱性シリカガラスの製造方法

発明者： 衛藤 伸生 ,  岡田 英昭 ,  多賀 俊幸 ,  久保 富義
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-325016
公開番号（公開出願番号）：特開平8-183621
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】半導体工業用や液晶パネル基板用に悪影響を及ぼす全ての金属不純物にが各々50ppb以下の高純度であり、OH基濃度が10ppm以下であり、かつ1200°Cでの粘度が1013.0ポイズ以上耐熱性を向上させたシリカガラスを提供することにある。【構成】精製された四塩化珪素やアルキルシリケートなどの珪素化合物を原料として、気化した該原料を酸水素火炎中で加水分解させ、得られたシリカ粉をターゲットに堆積、軸方向に成長させることにより得られる高純度のシリカ多孔質体を加熱処理することにより透明なシリカガラスを製造する方法に於いて、該シリカ多孔質体を一酸化炭素ガス含有雰囲気中、かつ1300°C以上の温度下で加熱処理することにより、該処理後のシリカ多孔質体の嵩密度を1.5g/cm3以上にすることを特徴とする全ての金属不純物に対して各々50ppb以下の高純度で、OH基濃度が10ppm以下であり、かつ1200°Cでの粘度が1013.0ポイズ以上である高純度、高耐熱性シリカガラスの製造方法。

請求項（抜粋）：

精製された四塩化珪素やアルキルシリケートなどの珪素化合物を原料として、気化した該原料を酸水素火炎中で加水分解させ、得られたシリカ粉をターゲットに堆積、軸方向に成長させることにより得られる高純度のシリカ多孔質体を加熱処理することにより透明なシリカガラスを製造する方法に於いて、該シリカ多孔質体を一酸化炭素ガス含有雰囲気中、かつ1300°C以上の温度下で加熱処理することにより、該処理後のシリカ多孔質体の嵩密度を1.5g/cm3以上にすることを特徴とする全ての金属不純物に対して各々50ppb以下の高純度で、OH基濃度が10ppm以下であり、かつ1200°Cでの粘度が1013.0ポイズ以上である高純度、高耐熱性シリカガラスの製造方法。

IPC (7件)：

C03B 8/04 ,  C01B 33/18 ,  C03B 19/06 ,  C03B 20/00 ,  C03C 3/06 ,  C30B 15/10 ,  H01L 21/22 511

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-109223
  
• 合成石英ガラス部材の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-264350   出願人：信越化学工業株式会社
• 薄膜トランジスタ-用石英ガラス基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-034510   出願人：信越化学工業株式会社